TSMC supostamente fica atrás da Samsung Foundry em rendimentos de 3 nm
Um relatório anterior afirmou Samsung Foundry estava indo muito bem com seu nó de 3 nm, com 60% de rendimento. Mapple_Goldum membro do setor, disse que o rendimento chegou a 75% em uma ocasião. Por outro lado, a TSMC ainda parece estar lutando com seu nó de 3 nm, de acordo com um relatório da agência de notícias sul-coreana KMIB.
Os rendimentos da fabricante de chips sediada em Taiwan estão atualmente em 55%. Embora não mencione a variante N3 em questão, é provável que seja a N3B, a primeira iteração. A decisão da TSMC de manter um design FinFET pode ter algo a ver com os rendimentos abaixo da média.
Por outro lado, o nó de 3 nm da Samsung usa a mais nova tecnologia GAA FET, que será adotada pela TSMC para sua próxima geração de chips. Os murmúrios do site Meeco sugerem que os problemas da TSMC podem não acabar tão cedo e persistir em seu nó de 2 nm. Para piorar a situação, a concorrência será muito mais intensa na época (2025), com Serviços de fundição da Intel entrando na briga com seu nó 18A.
Apesar dos rendimentos mais altos, a Samsung Foundry ainda não conseguiu atrair clientes. No entanto, isso pode mudar em breve, já que a AMD supostamente usará seu nó de 3 nm para algumas de suas próximas peças de IA e de data center. Com a Apple ainda mantendo a maior parte da capacidade de 3 nm, outros participantes, como a Qualcomm podem ser forçados a olhar para a Samsung, apesar de seu passado conturbado com o Snapdragon 888 e o Snapdragon 8 Gen 1.
Fonte(s)
KMIB (em coreano)
