Samsung desenvolve a primeira DRAM GDDR7 do setor com largura de banda de 1,5 TBps
Depois de mostrá-la pela primeira vez no mês passado, a Samsung anunciou agora que o estágio de desenvolvimento da primeira solução de DRAM GDDR7 do setor está concluído. Essa nova solução de memória de alta velocidade da Samsung vem depois da primeira DRAM GDDR6 de 24 Gbps do setor no ano passado.
De acordo com Yongcheol Bae, vice-presidente executivo da equipe de planejamento de produtos de memória da Samsung Electronics, "nossa DRAM GDDR7 ajudará a elevar as experiências do usuário em áreas que exigem excelente desempenho gráfico, como estações de trabalho, PCs e consoles de jogos, e espera-se que se expanda para aplicações futuras, como IA, computação de alto desempenho (HPC) e veículos automotivos".
Os destaques técnicos desse novo chip de memória incluem uma largura de banda 1,4 vezes maior do que a do GDDR6 (1,5 TBps vs. 1,1 TBps), uma velocidade máxima aumentada por pino de 32 Gbps, bem como uma sólida melhoria de 20% na eficiência energética. Além disso, o uso de um composto de moldagem de epóxi para o material de embalagem que, juntamente com a otimização da arquitetura do CI desses novos chips de memória, reduz a resistência térmica em 70% em comparação com o GDDR6.
Os primeiros produtos de hardware a usar a nova DRAM GDDR7 da Samsung podem chegar ao mercado no final de 2023, se tudo correr como planejado. Mais informações sobre isso devem surgir nos próximos meses diretamente dos vários parceiros da Samsung envolvidos, portanto, fique atento.
