Samsung começa a produzir em massa EUV DDR5 DRAM de 14nm
A Samsung anunciou que iniciou a produção em massa do estado-da-arte de 14nm, baseado no EUV DDR5 DRAM. A Samsung também anunciou que a empresa conseguiu aumentar a EUV contagem de camadas até cinco. Isto permitiu que o gigante coreano obtivesse a maior densidade de bit DRAM do mercado, ao mesmo tempo em que melhorou a produtividade das pastilhas em 20%. Além disso, devido ao uso do processo de fabricação de 14nm, os novos chips DRAM DDR5 da Samsung são até 20% mais eficientes em termos de energia em comparação com o nó DRAM da geração anterior da empresa.
De acordo com Jooyoung Lee, vice-presidente sênior da Samsung Electronics e diretor de produtos e tecnologia DRAM, o EUV de várias camadas da Samsung torna possível o DDR5 DRAM de 14nm, um produto que não estava nos cartões com o processo tradicional de fluoreto de argônio (ArF)
A DRAM DDR5 DRAM recentemente desenvolvida pela Samsung funcionará a velocidades próximas de 7,2 gigabits por segundo (Gbps), quase o dobro do DDR4 velocidades. Isto proporcionará um aumento significativo de velocidade para aplicações de servidor e cargas de trabalho de IA. A Samsung também está procurando aumentar a densidade de bits de suas ofertas DDR5 de 14nm para 24Gb nos próximos anos, cimentando ainda mais a empresa como fabricante de semicondutores no espaço AI e 5G.
Fonte(s)
