Samsung anuncia padrão de memória GDDR7 de 36 Gbps, com o objetivo de lançar soluções de armazenamento V-NAND com 1000 camadas até 2030
A Samsung apresentou uma nova onda de soluções de memória e planos futuros para melhorar exponencialmente o desempenho para os mercados de data center, servidor, móvel, jogos e automotivo. Os destaques em memória para o Samsung Tech Day deste ano incluem a melhoria das capacidades para DDR5 RAM, o anúncio do próximo padrão GDDR genérico e uma visão futura para V-NAND tecnologia de armazenamento.
Para o mercado de DRAM, a Samsung está acelerando o processo de produção 1b que permite escalar além de 10 nm graças a tecnologias como High-K. A empresa apresentará em breve densidades de DDR5 de 32 Gb por chip de memória, o que representa um aumento de 2x em relação aos 16 Gb existentes e 33% em relação aos 24 Gb chips. Além disso, o chip de 8,5 Gbps LPDDR5X Espera-se também que as soluções DRAM para telefones celulares e ultra-livros tenham uma adoção crescente ao longo do próximo ano. Soluções DRAM sob medida, tais como HBM-PIMaXDIMM, AXDIMM, e CXL será desenvolvido para permitir o processamento acelerado para aplicações de IA e redes neurais.
As GPUs da próxima geração se beneficiarão de RAM mais rápida, já que o gigante sul-coreano anunciou as especificações GDDR7 com taxas de transferência de até 36 Gbps. Este novo padrão deverá melhorar a velocidade em 50% em comparação com o padrão atual 24 Gbps GDDR6X chips da Micron oferecidos por alguns cartões Nvidia RTX 4000. Com um barramento de 384 bits, o GDDR7 pode teoricamente fornecer uma largura de banda de 1,7 TB/s, mas um barramento de 256 bits ainda pode quebrar o limite de 1 TB/s, também.
Por último, mas não menos importante, a Samsung falou sobre melhorias para os chips de memória de armazenamento V-NAND. 1 Tb TLC V-NAND chips estarão disponíveis no final de 2022, e o desenvolvimento para a nona geração V-NAND já está em andamento, com os primeiros chips programados para a produção de 2024. A Samsung pretende lançar uma solução V-NAND de 1000 camadas até 2030
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