Rendimentos de 3 nm da Samsung Foundry supostamente na "faixa de 50% a médio e alto"

Os rendimentos do processo de 3 nm da Samsung ainda não melhoraram (imagem gerada por DAL-E 3.0)

Um meio de comunicação sul-coreano informa que o rendimento do processo de 3 nm da Samsung é inferior a 60%. A Samsung confirmou anteriormente que o SoC Exynos 2500 do próximo ano será fabricado nesse processo. Produtos não especificados de outras empresas, como Nvidia e Qualcomm, também estão programados para usá-lo.

Anil Ganti (traduzido por Ninh Duy), Published 03/06/2024 🇺🇸 🇨🇳 ...

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Há rumores de que a Samsung Foundry fará seu grande retorno ao espaço de fabricação de semicondutores com seu próximo nó 3GAP. Grandes nomes do setor, como IBM, Nvidia e Qualcomm já se inscreveram, provavelmente devido a problemas de capacidade na TSMC. No entanto, um relatório (traduzido automaticamente) da agência de notícias sul-coreana DealSite.co.kr diz que a fabricante de chips ainda tem alguns problemas para resolver.

Os rendimentos para o nó de 3 nm da Samsung Foundry (3 GAA/3 GAP não especificado) ainda estão supostamente na "faixa de 50% a médio e alto". Isso está de acordo com um rumor anterior que apontava para cerca de 60%. Os analistas do setor dizem que o "método de processo GAA ainda não está estável", o que explica os números sem brilho. Felizmente, seu nó de 4 nm está se saindo melhor, com cerca de 75% de rendimento. Essa é uma boa notícia para o Google, pois seu Tensor G4 SoC para a série Pixel 9 será fabricado no Samsung 4LPP+.

No entanto, a Samsung terá que melhorar os rendimentos se quiser competir com a TSMC e a Intel Foundry no futuro ele será usado para fabricar o Exynos 2500um chip que foi anunciado como o retorno da Samsung ao domínio da AP móvel. Ele estabelecerá a base para seu sucessor (SF2), que supostamente será usado pela Qualcomm para fabricar seu Snapdragon 8 Gen 5 para Galaxy SoC e pela Arm para seu núcleo de CPU Núcleo de CPU Cortex-X.

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