Notebookcheck Logo

Os módulos DDR5 da Micron atingem 9200MT/s usando litografia EUV

A Micron revela sua memória DDR5 de nó 1γ com velocidades de 9200MT/s e eficiência energética aprimorada. (Fonte da imagem: Micron)
A Micron revela sua memória DDR5 de nó 1γ com velocidades de 9200MT/s e eficiência energética aprimorada. (Fonte da imagem: Micron)
A Micron é a primeira a lançar módulos DDR5 construídos com litografia EUV em seu novo nó de 1 gama. O avanço proporciona velocidades 15% mais rápidas, de até 9200MT/s, ao mesmo tempo em que reduz o consumo de energia em 20% e aumenta a densidade em 30%.

A Micron Technology acaba de se tornar o primeiro fabricante de memória a enviar unidades de amostra de módulos DDR5 construídos em seu nó DRAM de classe 10nm de sexta geração, também conhecido como 1γ (1-gama). Pela primeira vez, a Micron está utilizando a litografia EUV (ultravioleta extremo) em seu processo de fabricação, o que traz ganhos notáveis em velocidade, eficiência energética e rendimento de produção.

Graças a essa nova abordagem, os ICs DDR5 de 16 GB da Micron podem atingir velocidades de até 9200MT/s. Isso representa um sólido aumento de 15% no desempenho em comparação com o anterior geração 1β (1-beta) anteriore, ao mesmo tempo, reduz o consumo de energia em mais de 20%. Além disso, a técnica de produção atualizada proporciona uma densidade de bits 30% maior, o que pode ajudar a reduzir os custos quando o processo de fabricação amadurecer.

"A experiência da Micron no desenvolvimento de tecnologias DRAM proprietárias, combinada com nosso uso estratégico da litografia EUV, resultou em um portfólio robusto de produtos de memória de ponta baseados em 1γ, prontos para impulsionar o ecossistema de IA", disse Scott DeBoer, vice-presidente executivo e diretor de tecnologia e produtos da Micron.

A Micron planeja usar o nó 1γ em uma ampla gama de futuras soluções de memória, incluindo:

Aplicativos de data center: Oferecendo um desempenho até 15% mais rápido, juntamente com uma melhor eficiência energética para manter o consumo de energia e o calor sob controle.

Dispositivos móveis: As variantes LPDDR5X darão suporte a experiências de IA de ponta diretamente em seu smartphone ou tablet.

Sistemas automotivos: O LPDDR5X rodando a até 9600MT/s expandirá a capacidade, estenderá a vida útil do produto e oferecerá um desempenho mais forte.

Tanto a AMD quanto a Intel já começaram a validar a nova linha de DDR5 da Micron. Amit Goel, vice-presidente corporativo de engenharia de soluções de plataforma de servidor da AMD, destacou como essa colaboração se alinha com os esforços da empresa para continuar refinando seus processadores EPYC e hardware voltado para o consumidor. Enquanto isso, o Dr. Dimitrios Ziakas, da Intel, chamou a atenção para a eficiência energética aprimorada e a maior densidade que beneficiarão os ambientes de servidor e os PCs orientados por IA.

Atualmente, a Micron produz esses chips DRAM 1γ em suas instalações no Japão, onde a empresa introduziu seu primeiro sistema de litografia EUV em 2024. Com o aumento da produção, a Micron planeja instalar equipamentos EUV adicionais em suas unidades no Japão e em Taiwan.

Fonte(s)

Micron (em inglês)

Please share our article, every link counts!
Mail Logo
> Análises e revisões de portáteis e celulares > Arquivo de notícias 2025 02 > Os módulos DDR5 da Micron atingem 9200MT/s usando litografia EUV
Nathan Ali, 2025-02-27 (Update: 2025-02-27)