Os chips de 2 nm da Samsung Foundry devem entrar em produção em massa em 2025

No início do ano passado, a Samsung confirmou seu principal AP móvel para 2025, o Exynos 2500seria fabricado no nó Nó 3GAP da Samsung Foundry. É a segunda iteração do nó 3GAA, muitas vezes esquecido, que foi relegado à fabricação de ASICs de mineração de criptomoedas. Um novo relatório da Business Korea afirma que a empresa está no caminho certo para iniciar a produção em massa de seu nó de 2 nm (SF2) no próximo ano.

A Samsung Foundy revelará mais detalhes sobre o SF 2 no Simpósio VLSI (Very Large Scale Integration) no final deste ano. Ele será usado para desenvolver a próxima CPU Cortex-X6 da Arm CPU Cortex-X6 da Arm. Até mesmo a Qualcomm poderia buscar alguma capacidade para seu Snapdragon 8 Gen 5 para Galaxy SoC. É claro que a Samsung certamente o usará para seus próprios produtos Exynos e chips de IA da Empresa japonesa PFN.

Será interessante ver como ele se comporta em relação aos nós de 2 nm da TSMC e 18A da Intel, ambos programados para entrar em produção em massa mais ou menos na mesma época. A concorrência será acirrada desta vez, pois tanto a Intel (RibbonFET) e a TSMC (Nanosheets) têm suas próprias versões de transistores gate-all-around, algo que a Samsung conseguiu com o MBCFET em 2022.

Além disso, o SF2 pode ser o primeiro nó da Samsung Foundry a introduzir o fornecimento de energia backside, que também estará presente no Intel 18A (PowerVia) e no TSMC N2P. Para obter mais informações sobre como funciona o fornecimento de energia backside, confira esta excelente explicação de High Yield no YouTube.