Os chips HBM3E de 8 camadas da Samsung superam os obstáculos de calor e energia para garantir a aprovação da Nvidia

A Samsung Electronics passou com sucesso nos rigorosos testes da Nvidia para seus chips de memória HBM3E de 8 camadas, posicionando-se como um fornecedor-chave para o setor de chips de IA em rápido crescimento. HBM, ou High Bandwidth Memory, é um tipo especializado de DRAM projetado para lidar com grandes quantidades de dados na velocidade da luz. É um componente crucial para alimentar as complexas computações necessárias para aplicativos de inteligência artificial. O HBM3E, a mais recente iteração, oferece desempenho e eficiência energética ainda maiores do que o HBM3.

Garantir a aprovação da Nvidia foi um obstáculo para a Samsung, que já havia enfrentado desafios relacionados a calor e consumo de energia em seus chips HBM. Desde então, a empresa resolveu esses problemas para atender aos padrões da Nvidia, à medida que os aplicativos de IA se tornam mais exigentes. A Samsung, juntamente com empresas como a SK Hynix e Micronestá correndo para atender a essa demanda.

Embora os chips HBM3E de 12 camadas da Samsung ainda estejam sendo avaliados, a aprovação da versão de 8 camadas é um passo à frente para a empresa. A Nvidia também liberou recentemente a Os chips de memória de alta largura de banda de quarta geração da Samsung, HBM3, pela primeira vez. No entanto, a Reuters afirmou anteriormente que os chips provavelmente serão usados apenas em Placas gráficas da Nvidia específicas para a China.