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O potencial de armazenamento massivo do Nintendo Switch 2 pode estar nos cartões microSD Samsung SD Express

Os cartões microSD super rápidos da Samsung seriam uma grande vantagem para um console como o Nintendo Switch 2. (Fonte da imagem: DALL-E 3/Samsung - editado)
Os cartões microSD super rápidos da Samsung seriam uma grande vantagem para um console como o Nintendo Switch 2. (Fonte da imagem: DALL-E 3/Samsung - editado)
A Samsung anunciou um desenvolvimento considerável no mundo dos cartões microSD que pode animar os fãs da Nintendo que esperavam ver o chamado console Switch 2 no primeiro semestre de 2024. Os novos cartões microSD SD Express da Samsung podem fazer com que o Nintendo Switch 2 ofereça até 10 vezes mais velocidade de transferência do que o OG Switch.

Grande parte das notícias sobre o Nintendo Switch 2 nos últimos tempos tem sido sobre o atraso no lançamento, que segundo os rumores, parece que março de 2025 é o prazo mais provável para o aparecimento do sucessor do Switch. Como muitos esperavam que a Nintendo já tivesse anunciado ou mostrado algo de seu console híbrido de próxima geração, essa notícia em particular não foi recebida de forma positiva. Felizmente, a Samsung meio que veio em socorro, com um anúncio que levou a novas especulações sobre o Switch 2 (via Reddit) que deve gerar algum entusiasmo.

Um comunicado de imprensa oficial https://news.samsung.com/global/samsungs-new-microsd-cards-bring-high-performance-and-capacity-for-the-new-era-in-mobile-computing-and-on-device-ai da Samsung revelou que uma amostra de cartão microSD SD Express de 256 GB atingiu velocidades de leitura sequencial de "até" 800 MB/s. Embora essa velocidade possa deixar os proprietários de PS5 e Xbox Series X com um sorriso presunçoso no rosto, ainda é um grande salto em relação ao console Nintendo Switch original (o senhor pode obter o modelo OLED na Amazon), presumindo que essa tecnologia esteja indo para o Switch 2, é claro. A Nintendo informa que os jogadores podem esperar velocidades de transferência de 60 a 95 MB/s para o Switch - portanto, um salto para 800 MB/s seria muito perceptível. Mas, em primeiro lugar, por que esse comunicado de imprensa da Samsung foi vinculado ao Nintendo Switch 2?

Como apontado pelo redditor u/anirakdream, há uma frase no comunicado que poderia facilmente estar falando sobre a Nintendo: "O desenvolvimento foi o resultado de uma colaboração bem-sucedida com um cliente para criar um produto personalizado" Naturalmente, isso poderia estar relacionado a várias outras empresas que se beneficiariam com esses cartões SD velozes, como fabricantes de telefones e empresas de câmeras. Mas o tamanho do cartão e a menção de que ele é "otimizado para alto desempenho e gerenciamento térmico" certamente também apontam para algo como um Nintendo Switch 2 console.

Espera-se que o sucessor do Switch tenha um aumento no armazenamento, pois essa é uma área óbvia em que a Nintendo pode produzir um produto que agrade aos fãs. Ter uma tecnologia de armazenamento tão avançada explicaria, como argumentado no mesmo post do Reddit https://www.reddit.com/r/GamingLeaksAndRumours/comments/1b1yrna/comment/ksi89wx/?utm_source=share&utm_medium=web3x&utm_name=web3xcss&utm_term=1&utm_content=share_button de u/RexVandham, como a suposta Demonstração da Gamescom foi tão impressionante, com o hardware que foi configurado para emular um Nintendo Switch 2 sendo capaz de lidar com The Legend of Zelda: Breath of the Wild e The Matrix Awakens. O cartão microSD SD Express de 256 GB da Samsung será disponibilizado para compra "ainda este ano", com uma variante de 1 TB chegando no terceiro trimestre.

Fonte(s)

Os novos cartões microSD da Samsung trazem alto desempenho e capacidade para a nova era da computação móvel e da IA no dispositivo
Coreia em 28 de fevereiro de 2024Audio AUDIO Play/StopShare Share open/close Print
A Samsung faz uma amostra do primeiro cartão microSD SD Express de 256 GB do setor, com velocidades mais de quatro vezes mais rápidas do que a interface atual

O cartão microSD UHS-1 de 1 TB da Samsung em produção em massa com base na mais recente tecnologia V-NAND
Samsung Electronics, líder mundial em tecnologia de memória avançada, anunciou hoje que começou a testar seu cartão microSD SD Express2 de 256 gigabytes (GB)1 com velocidade de leitura sequencial de até 800 megabytes por segundo (MB/s) e iniciou a produção em massa de seu cartão microSD UHS-1 de 1 terabyte (TB)3. Com a introdução de sua linha de cartões microSD de última geração, a Samsung pretende fornecer soluções de memória diferenciadas necessárias para a computação móvel do futuro e aplicativos de IA no dispositivo.


"Com nossos dois novos cartões microSD, a Samsung forneceu soluções eficazes para atender às crescentes demandas de computação móvel e IA no dispositivo", disse Hangu Sohn, vice-presidente da equipe de produtos de marca de memória da Samsung Electronics. "Apesar de seu tamanho minúsculo, esses cartões de memória oferecem desempenho e capacidade semelhantes aos de um SSD para ajudar os usuários a aproveitar melhor os exigentes aplicativos modernos e futuros."



O primeiro cartão microSD SD Express do setor oferece velocidades máximas de 800 MB/s
Pela primeira vez no setor, a Samsung apresentou um novo cartão microSD de alto desempenho baseado na interface SD Express. O desenvolvimento foi o resultado de uma colaboração bem-sucedida com um cliente para criar um produto personalizado.


Graças ao seu design de baixo consumo de energia, bem como à tecnologia de firmware otimizada para alto desempenho e gerenciamento térmico, o cartão microSD SD Express da Samsung oferece desempenho equivalente ao dos SSDs em um formato pequeno. Enquanto as velocidades de leitura dos cartões microSD tradicionais baseados na interface UHS-1 eram limitadas a 104MB/s, o SD Express foi capaz de aumentá-las para 985MB/s, embora a disponibilidade comercial deste último não fosse viável em cartões microSD até agora.



A velocidade de leitura sequencial do cartão microSD SD Express da Samsung atinge até 800MB/s - 1,4 vezes mais rápida do que os SSDs SATA (até 560 MB/s) e mais de quatro vezes mais rápida em comparação com os cartões de memória UHS-1 tradicionais (até 200 MB/s), permitindo melhores experiências de computação em vários aplicativos, incluindo PCs e dispositivos móveis. Para garantir desempenho estável e confiabilidade para o formato pequeno, a tecnologia Dynamic Thermal Guard (DTG) mantém a temperatura ideal para o cartão microSD SD Express, mesmo durante longas sessões de uso.



cartão microSD UHS-1 de 1 TB com V-NAND de 1 TB de última geração
O novo cartão microSD de 1 TB da Samsung empilha oito camadas do V-NAND de 1 TB de 8ª geração da empresa em um formato microSD, realizando o pacote de alta capacidade que costumava ser possível apenas em SSDs. O novo cartão microSD de 1 TB passa nas configurações de teste mais rigorosas do setor e oferece uso confiável mesmo em ambientes desafiadores, com recursos como proteção contra água, temperatura extrema, design à prova de quedas, proteção contra desgaste, bem como proteção magnética e contra raios X.4



Disponibilidade
O cartão microSD SD Express de 256 GB estará disponível para compra ainda este ano, e o cartão microSD UHS-1 de 1 TB deverá ser lançado no terceiro trimestre deste ano.



1 1 gigabyte (GB) = 1.000.000.000 bytes (1 bilhão de bytes). A capacidade real de uso pode variar.
2 SD Express: A nova interface de cartão SD com PCIe Gen3x1 (com base na especificação SD 7.1 lançada em fevereiro de 2019), a velocidade de transferência teórica de um cartão SD Express é de 985 MB/s
3 1 terabyte (TB) = 1.000.000.000.000 bytes (1 trilhão de bytes). A capacidade real utilizável pode variar
4 A Samsung não se responsabiliza por quaisquer danos e/ou perda de dados ou despesas decorrentes da recuperação de dados do cartão de memória. As seis provas reivindicadas são aplicáveis apenas ao cartão microSD UHS-1 de 1 TB, não ao cartão microSD SD Express de 256 GB. 1M de profundidade, água salgada, 72 horas. Temperaturas operacionais de -25℃ a 85℃ (-13°F a 185°F), temperaturas não operacionais de -40℃ a 85℃ (-40°F a 185°F). Resiste a máquinas de raios X padrão de aeroportos (até 100mGy). Campo magnético equivalente a um scanner de ressonância magnética de alto campo (até 15.000 gauss). Resiste a quedas de até 5 metros (16,4 pés). Até 10.000 passagens.

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Daniel R Deakin, 2024-02-29 (Update: 2024-02-29)