O iodeto de níquel pode ser a chave para dispositivos de memória ultra-rápidos e menores no futuro, afirma a pesquisa

Cientistas da Universidade do Texas em Austin e do Instituto Max Planck acreditam ter encontrado um ingrediente fundamental para dispositivos de memória super-rápidos e minúsculos: iodeto de níquel (_NiI2).

Os materiais normais podem ser magnéticos ou elétricos. Os multiferróicos oferecem basicamente o melhor dos dois mundos - eles têm propriedades magnéticas e elétricas. Isso os torna ideais para a criação de eletrônicos menores e mais rápidos.

O recurso mais interessante dos multiferróicos é algo chamado "acoplamento magnetoelétrico". Nesses materiais, um campo elétrico pode alterar o magnetismo e vice-versa. O _NiI2 tem o acoplamento magnetoelétrico mais forte já descoberto. É exatamente por isso que o _NiI2 pode ser fundamental para o desenvolvimento de dispositivos de memória super-rápidos. Esqueça os volumosos cartões de memória, _o NiI2 poderia ajudar a criar uma memória muito menor e mais leve. Além disso, esses novos dispositivos de memória provavelmente usarão menos energia, tornando-os mais ecológicos.

Os pesquisadores usaram disparos de laser super-rápidos para "excitar" o material _NiI2 e, em seguida, observaram como seu magnetismo e eletricidade mudavam - tudo isso na faixa de femtossegundos (um milionésimo de bilionésimo de segundo). Eles também fizeram cálculos complexos para entender por que o _NiI2 tem um efeito de acoplamento tão forte.

_O NiI2 também pode vir a ser um divisor de águas em outras áreas. Ele poderia ser usado para criar conexões minúsculas em computadores quânticos. Pode até mesmo ser útil na construção de melhores sensores químicos para coisas como controle de qualidade e segurança de medicamentos.

Os pesquisadores estão tentando encontrar mais materiais com propriedades semelhantes às do _NiI2. Além disso, os cientistas estão explorando maneiras de aprimorar ainda mais (e utilizar) os já impressionantes recursos do _NiI2. Eles também estão tentando explorar as propriedades ferroelétricas do háfnio para projetar uma memória que seja melhor e mais barata que a NAND.