O Snapdragon 8 Gen 4 para Galaxy poderia ser fabricado no nó 3GAP da Samsung; a versão normal usará o TSMC N3E

O futuro Snapdragon 8 Gen 3 está praticamente confirmado para ser fabricado no nó de processo N4P da TSMC, o que o coloca em uma desvantagem teórica em relação ao A17 Bionic baseado em N3B da TSMC. No entanto, a situação pode ser mais complexa no próximo ano se um Tweet recente do vazador @tech_reve estiver correto.

Aparentemente, a Qualcomm planeja usar a fonte dupla do Snapdragon 8 Gen 4. Uma variante do SoC, provavelmente destinada ao uso geral, será fabricada no TSMC N3E. Por outro lado, o Snapdragon 8 Gen 4 para Galaxy, sua versão exclusiva para a Samsung, será fabricado no nó 3GAP da Samsung Foundries. É interessante notar que o chip do Dream Team, também conhecido como Exynos 2500também deverá seguir seus passos.

Embora não seja incomum que os OEMs obtenham chips de duas fundições diferentes, houve um desastre (lembra-se do Chipgate?) na única vez em que o Apple tentou fazer isso com o A9 em 2015. No entanto, em vez de o público em geral sentir o impacto, apenas os usuários da Samsung serão afetados desta vez. Mesmo assim, será interessante ver como as duas variantes do Snapdragon 8 Gen 4 se comportam uma contra a outra no mundo real.

O histórico não muito brilhante da Samsung Foundries torna fácil descartar seus produtos como inferiores. No entanto, seu design de transistor de porta completa poderia ajudar a preencher a enorme lacuna de desempenho/térmica/eficiência entre as ofertas da TSMC com especificações semelhantes. Isso, combinado com os novos núcleos de CPU Nuvia do Snapdragon 8 Gen 4 Núcleos de CPU Nuvia do Snapdragon 8 Gen 4 e o suporte a dGPU externo, poderia lhe dar a tão necessária vantagem competitiva para enfrentar o Apple.

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