Kirin 9010 e Snapdragon 888+ rumores para o final de 2021: processo de 3 nm para o chip HiSilicon, possivelmente para aparecer em um smartphone Huawei Mate 50

Um conhecido especialista em tecnologia foi à falência com alguns rumores estranhos que seriam incríveis se fossem genuínos. O "amante da tecnologia" auto-professado @RODENT950 começa alegando que o próximo chip da Huawei de sua empresa de semicondutores de propriedade integral, HiSilicon, será chamado de Kirin 9010. Não é nenhuma surpresa, considerando que o Kirin 9000 já está mostrando o que ele pode fazer em um smartphone Mate 40 Pro. Entretanto, de acordo com o leaker, o chip Kirin da próxima geração será de 3 nm, enquanto o Kirin 9000 é baseado em um processo de 5 nm.

Esta é uma afirmação e tanto, pois acredita-se que 2022 seria o ano dos chips de 3 nm, com Apple à frente da fila para qualquer tipo de volume disponível. Além disso, a HiSilicon é uma empresa de semicondutores sem fabricação, portanto, como muitas outras empresas, teve que confiar no que a TSMC poderia fornecer. A TSMC foi proibida de enviar chips para a Huawei, e mesmo a construção de sua própria fundição ainda deixará o OEM chinês muito atrás de seus rivais, já que sua nova fábrica começa com 45 nm de processamento (os primeiros produtos comerciais de 45 nm foram introduzidos em 2007). Portanto, é hora de uma enorme pitada de sal aqui, pois certamente não está claro como a Huawei conseguirá seus chips de 3 nm, mesmo que o trabalho de pesquisa e desenvolvimento já esteja em andamento.

Há ainda mais rumores de que o Kirin 9010 aparecerá no segundo semestre de 2021, possivelmente a tempo de ser encontrado em algumas comparações de benchmark úteis com o suposto Qualcomm Snapdragon 888+ SoC, que também deve aparecer no segundo semestre do ano. Entretanto, é provável que a variante Plus do SD888 seja produzida em um nó de 5 nm. Se esta notícia sobre o Huawei for verdadeira, então pode até ser possível que a série Huawei Mate 50 de 2021 seja o primeiro dispositivo Android a utilizar um chipset de 3 nm

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