Fusão entre CPUs e RAM proposta pelo CEO da SK Hynix

As normas RAM estão agora em transição para a era DDR5, o que traz algumas melhorias e um considerável aumento de desempenho em comparação com a DDR4. Entretanto, o DDR e seu relativo GDDR mais rápido não são tão rápidos em comparação com o padrão HBM (memória de alta largura de banda), que, segundo o CEO da SK Hynix Seok-Hee Lee, poderia ser a base para a fusão natural entre CPUs e RAM.

No Simpósio Internacional de Física de Confiabilidade do Institute of Electrical and Electronics Engineers, Seok-Hee Lee apresentou sua visão para um padrão de memória mais rápido que exigiria uma "convergência de memória e lógica" Lee apresenta uma evolução mais gradual, começando com a HBM

Como a velocidade foi aumentada na memória de alta largura de banda ao aumentar o número de canais entre a CPU e a memória, a velocidade aumentará ainda mais no Processing Near Memory (PNM), onde tanto a CPU quanto a memória existem dentro de um único módulo. A velocidade aumentará ainda mais no Processing In Memory (PIM), onde a CPU e a memória existem dentro de um único pacote. Finalmente, a velocidade aumentará ainda mais na Computação em Memória (CIM), onde a CPU e a memória estão integradas dentro de um único molde, para fornecer um sistema de computação de alto desempenho.

A SK Hynix é atualmente a segunda maior fabricante de memória do mundo, mas não fabrica nenhum outro tipo de chips como CPUs. Assim, o CEO Lee pede uma colaboração entre gigantes semicondutores a fim de formar um ecossistema que possa sustentar os novos híbridos CPU+RAM: "Somente estabelecendo uma parceria estratégica para Inovação Aberta baseada na colaboração e compartilhamento com clientes, fornecedores, academia e governo, podemos moldar uma nova era, que busca tanto o valor econômico quanto o social"

Lee também apresentou um novo padrão chamado Compute Express Link (CXL) que poderia complementar o barramento PCIe. A memória CXL é capaz de mover dados de forma rápida e mais eficiente entre CPU e aceleradores gráficos/computacionais ou interfaces de rede inteligentes. "A memória CXL está sendo preparada como uma solução que não apenas expande a largura de banda e a capacidade, mas também percebe o valor de uma memória persistente, [...] uma solução para reduzir a lacuna entre o desempenho da memória e os requisitos da indústria"

Por último, mas não menos importante, Lee abordou os esforços que estão sendo feitos para melhorar os chips de memória NAND integrados em soluções de armazenamento SSD. Com o salto para nós de 10 nm e abaixo, a SK Hynix poderá eventualmente ser capaz de produzir chips NAND de 600 camadas, o que deverá aumentar muito a capacidade de armazenamento e a velocidade de transferência de dados sobre a atual tampa de 176 camadas.

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