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A corrida de 3nm já começou: A Samsung supostamente investe US$ 10 bilhões em Austin, uma instalação de semicondutores TX

A mudança da Samsung poderia significar que os chips GaaFET de 3nm chegariam ao mercado até 2024 (Fonte da imagem: Samsung)
A mudança da Samsung poderia significar que os chips GaaFET de 3nm chegariam ao mercado até 2024 (Fonte da imagem: Samsung)
Enquanto a TSMC avança com seus planos para a litografia FinFET de 3nm, a Samsung está alegadamente investindo mais de US$ 10 bilhões em uma instalação de Austin, TX, para levar adiante sua própria estratégia de fabricação de 3nm

De acordo com um relatório da ITHome, a Samsung está aparentemente planejando investir mais de US$ 10 bilhões em uma nova fábrica de chips semicondutores no Texas. O relatório afirma que a Samsung espera conquistar novos clientes nos EUA por causa desta nova fábrica Made in America.

Os prazos de produção permanecem pouco claros. Entretanto, fontes da ITHome indicam que as operações só começariam em 2023, na melhor das hipóteses. Isto pode significar que teremos que esperar até 2024 ou 2025 para ver os chips EUV reais da Samsung de 3nm em dispositivos de embarque.

A Samsung se preocupa com o progresso que o TSMC, rival da TSMC, vem fazendo em 3nm. Ao contrário da Samsung, que está planejando aproveitar a tecnologia GaaFET (Gate-all-around FET), a TSMC está aderindo à tecnologia FinFET: será interessante ver como a FinFET funciona a 3nm, e até que ponto as modificações da TSMC mitigarão os efeitos quânticos do túnel e outros efeitos.

Os chips da Samsung podem chegar ao mercado um pouco mais tarde, mas o GaaFET tem o potencial de oferecer térmicas superiores e eficiência energética.

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Arjun Krishna Lal, 2021-01-24 (Update: 2021-01-24)