A TSMC também não é um salvador para a Qualcomm: Snapdragon 8+ Gen 1 no OnePlus 10T posto à prova
Não é segredo que o alto desempenho do Snapdragon 8 Gen 1 da Qualcomm é acompanhado por um alto desperdício de calor. Isto pode ser visto pelo desenvolvimento muito forte do calor em certas revisões (Oposto Encontrar X5, Xiaomi 12,Motorola Edge 30 Pro), particularmente em testes de benchmark onde tanto as unidades CPU como GPU do SOC são colocadas sob forte tensão. Por fim, este problema de calor desperdiçado leva a fortes quedas no desempenho, levando a uma instabilidade pronunciada nos testes de estresse 3DMark.
Este fenômeno pode ter sido em parte devido à dinâmica no processo de produção da Samsung, mas nossa revisão doOnePlus 10Trevela que o Snapdragon 8+ Gen 1 não resolveu fundamentalmente o problema do desenvolvimento do calor. A esperança na TSMC e seu processo de 4nm se esfriou um pouco, pelo menos no OnePlus 10T. Embora o telefone OnePlus tenha um novo sistema de resfriamento Cryo Velocity Vapor e um SoC mais eficiente na forma do Snapdragon 8+ Gen 1, medimos uma temperatura de superfície mais alta de quase 47 °C do que no 10 Proeste nível de calor desperdiçado também se torna um problema em termos de estabilidade do sistema porque as medidas de proteção contra tensão e superaquecimento muitas vezes entram em ação
Power Consumption: Geekbench (150 cd/m²)
Em termos de eficiência, porém, nossas medidas mostram que oOnePlus 10Tconsome menos energia do que os smartphones com o Snapdragon 8 Gen 1especialmente sob carga, o consumo máximo de energia de menos de 6 watts é significativamente menor do que o de um 10 Proque consome mais de 11 watts. Entretanto, a melhoria da eficiência parece se aplicar apenas à unidade CPU Cryo, como indicado por uma comparação dos valores GeekBench e GFXBench (com um brilho de 150 cd/m²).
Power Consumption: GFX Bench (150 cd/m²)
Todas as medições, testes de jogos e resultados de referência podem ser encontrados em nossa revisão detalhada doOnePlus 10T.
Fonte(s)
Revisão do OnePlus 10T
