A TSMC espera anunciar planos para seus nós de produção de 1,4 nm no próximo mês

Enquanto os cientistas estão explorando várias maneiras de viabilizar a fabricação de transistores sub-1nm, as maiores fundições do mundo estão correndo para ver quem pode liberar os primeiros nós de produção da era angstrom. Ainda que a Intel tenha sido a primeira a anunciar 20A e mesmo 18 nós A programados para algum tempo depois de 2025, estes provavelmente não apresentarão verdadeiros nós sub-2 nm, a julgar pelo esquema de nomeação escolhido pela Team Blue (Intel 7por exemplo, é de 10 nm). A Samsung e a TSMC, por outro lado, estão constantemente um acima do outro. Espera-se que a TSMC comece 2 nm em 2025, juntamente com a introdução dos transistores GAAFet, mas a Samsung já planeja fazer o salto para GAAFet com seu 3 nm nodos no final deste ano. Agora, a TSMC está novamente aumentando a fasquia, ao preparar um anúncio para seus nós de 1,4 nm em junho.

De acordo com um recente relatório da Business Korea, os preparativos para os nós de 1,4 nm começarão com a TSMC convertendo a equipe de P&D de 3 nm em uma que iniciará a busca do caminho para o processo mais avançado. Mais informações oficiais sobre os nós de 1,4 nm poderão ser apresentadas no Simpósio de Tecnologia da TSMC agendado para o próximo mês. Será interessante ver se a TSMC pode continuar a empregar transistores GAAFet para os nós de 1,4 nm ou tentar implementar alguma nova tecnologia, como graphene nanomesh. Além disso, a TSMC também pode melhorar o processo litográfico da EUV com uma atualização da abertura numérica de 0,33 para 0,55

Aparentemente, a Intel será a primeira a usar a litografia de maior abertura numérica com os nós 20A e 18A em 2025. Novamente, estes nós não são verdadeiros nós de 2 nm, mas sabe-se que a Intel corresponde pelo menos à densidade fornecida pelos nós da TSMC. O salto de 2 nm para 1,4 nm pode não soar muito impressionante, mas precisamos ter em mente que a precisão precisa aumentar exponencialmente e, ao mesmo tempo, manter rendimentos suficientemente altos. Isto pode não ser alcançado com os transistores GAAFet e a TSMC poderia ser forçada a explorar outras soluções. Se a TSMC quiser manter sua cadência atual, os nós de 1,4 nm poderão se tornar operacionais até 2028.

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