A Neo Semiconductor lança o 3D X-DRAM, o primeiro chip de RAM do tipo 3D NAND do mundo com capacidade de 128 Gb

A Neo Semiconductor, produtora de flash NAND 3D sediada nos Estados Unidos, está lançando seus chips de memória 3D X-DRAM que são considerados os primeiros 3D NAND-do mundo, com capacidades muito maiores do que as atuais soluções DRAM 2D atuais. A primeira iteração da tecnologia 3D X-DRAM pode atingir 128 Gb de densidade com 230 camadas por chip, 8 vezes mais do que os atuais chips 2D DRAM. A Neo Semiconductor acredita que essa solução pode ser dimensionada com mais facilidade e é menos dispendiosa de implementar em comparação com outras alternativas de DRAM 3D, o que a torna uma sólida candidata a substituir a DRAM 2D em um futuro próximo.

A vantagem da tecnologia 3D X-DRAM está no uso do projeto inovador Floating Body Cell (FBC), que armazena dados como cargas elétricas usando um transistor e zero capacitores. Ao contrário de outras alternativas de DRAM 3D que tentam criar novos designs mais complicados, a X-DRAM 3D aproveita os processos NAND 3D maduros de hoje, exigindo apenas uma máscara para definir os orifícios da linha de bits e formar a estrutura da célula dentro dos orifícios. Essa abordagem pode simplificar muito a produção, a implementação e a transição da DRAM 2D.

A Neo Semiconductor já publicou todos os pedidos de patente relevantes no USPAP em 6 de abril deste ano. A empresa está determinada a impulsionar o setor para a X-DRAM 3D como uma solução necessária para a crescente demanda de memória de alto desempenho e alta capacidade provocada pelos rápidos avanços em IA. Com base nas estimativas da Neo Semiconductor, a capacidade de memória poderia ser dobrada para 256 Gb até 2025, enquanto as capacidades de 1 Tb poderiam ser oferecidas em uma década. Mais informações serão divulgadas na Cúpula de Memória Flash em 9 de agosto de 2023.

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